类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：QFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.4 欧姆 @ 3.5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：7A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：36nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1245pF @ 25V
功率 - 最大：52W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 全封装（直引线）
包装：管件
供应商设备封装：*
FQPF7N65CYDTU
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQPF7P20 | ON (安森美) | MOSFET P-CH 200V 5.2A TO-220F | 立即购买 |
| FQPF7N20 | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| FQPF7N20L | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| FQPF7P06 | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | P-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| FQPF7N65CYDTU | ON (安森美) | MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F | 立即购买 |