类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：QFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：60 毫欧 @ 8.6A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：17.2A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：13nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：630pF @ 25V
功率 - 最大：2.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：*
FQD20N06LTF
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQD20N06TM | ON (安森美) | MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK | 立即购买 |
| FQD20N06TM | ON (安森美) | MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK | 立即购买 |
| FQD20N06TM | ON (安森美) | MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK | 立即购买 |
| FQD20N06TF | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| FQD20N06LETM | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |