类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFETs - 阵列
系列：QFET™
FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6.2 欧姆 @ 185mA ,10V
漏极至源极电压(Vdss)：500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：370mA
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：8.2nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：200pF @ 25V
功率 - 最大：2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（3.9mm 宽）
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：*
FQS4903TF
概述