类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFETs - 阵列
系列：PowerTrench®
FET 型：N 和 P 沟道
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：29 毫欧 @ 6.2A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6.2A, 4.4A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：20nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：760pF @ 20V
功率 - 最大：900mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（3.9mm 宽）
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：*
其它名称：FDS4897CTR
FDS4897C
概述