类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：SuperFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：950 毫欧 @ 2.3A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.6A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：16nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：600pF @ 25V
功率 - 最大：54W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：*
其它名称：FCD5N60TFTR
FCD5N60TF
概述
在线购买
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FCD5N60TM-WS | ON (安森美) | MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK | 立即购买 |
| FCD5N60TM-WS | ON (安森美) | MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK | 立即购买 |
| FCD5N60TM-WS | ON (安森美) | MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK | 立即购买 |
| FCD5N60TM | ON (安森美) | MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK | 立即购买 |
| FCD5N60TM | ON (安森美) | MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK | 立即购买 |