类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:QFET™
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.55 欧姆 @ 3.7A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):900V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7.4A
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:59nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :2280pF @ 25V
功率 - 最大:220W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-3P-3(直引线)
包装:管件
供应商设备封装:*
FQA7N90
概述
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FQA7N80C | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
FQA7N80 | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
FQA7N90 | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
FQA7N80C | ON (安森美) | MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P | 立即购买 |
FQA7N60 | ON (安森美) | MOSFET N-CH 600V 7.7A TO-3P | 立即购买 |