类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:QFET™
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:16 毫欧 @ 35.5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:71A
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:110nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :3250pF @ 25V
功率 - 最大:160W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 (直引线)
包装:管件
供应商设备封装:*
FQP90N08
概述