类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：QFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：750 毫欧 @ 6.3A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：12.6A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：88nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：3500pF @ 25V
功率 - 最大：300W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-3PN-3
包装：管件
供应商设备封装：*
FQA13N80
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQA13N50CF | ON (安森美) | MOSFET N-CH 500V 15A TO-3P | 立即购买 |
| FQA13N50C | ON (安森美) | MOSFET N-CH 500V 13.5A TO-3P | 立即购买 |
| FQA13N50 | ON (安森美) | MOSFET N-CH 500V 13.4A TO-3P | 立即购买 |
| FQA13N80-F109 | ON (安森美) | MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P | 立即购买 |
| FQA13N50CF_F109 | ON (安森美) | MOSFET N-CH 500V 15A TO-3P | 立即购买 |