晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:11.5A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.01ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:2.5mW
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:SOIC
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:11.5A
电流, Idm 脉冲:50A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
FDS6680AS
概述