类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：QFET™
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：175 毫欧 @ 5.7A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：11.4A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：17nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：550pF @ 25V
功率 - 最大：3.13W
安装类型：通孔
封装/外壳：I²Pak, TO-262 (3 直引线 + 接片)
包装：管件
供应商设备封装：*
FQI11P06TU
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQI11P06TU | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | P-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| FQI11N40TU | ON (安森美) | MOSFET N-CH 400V 11.4A I2PAK | 立即购买 |
| FQI11N40TU | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| FQI11P06TU | ON (安森美) | MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK | 立即购买 |