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FQA17P10

概述
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:QFET™
FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:190 毫欧 @ 9A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:39nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :1100pF @ 25V
功率 - 最大:120W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-3P-3(直引线)
包装:管件
供应商设备封装:*
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型号 制造商 描述 购买
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