类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：QFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4.25 欧姆 @ 1.8A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：900V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.6A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：26nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：910pF @ 25V
功率 - 最大：3.13W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：D²Pak，TO-263（2 引线 + 接片）
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：*
FQB3N90TM
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQB3N30TM | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| FQB3N40TM | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| FQB3N80TM | ON (安森美) | MOSFET N-CH 800V 3A D2PAK | 立即购买 |
| FQB3N90TM | ON (安森美) | MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK | 立即购买 |
| FQB3N60CTM | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |