类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：QFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：360 毫欧 @ 3.8A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：7.6A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：18nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：670pF @ 25V
功率 - 最大：2.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：*
FQD10N20TF
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQD10N20CTM | ON (安森美) | MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK | 立即购买 |
| FQD10N20CTM | ON (安森美) | MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK | 立即购买 |
| FQD10N20CTM | ON (安森美) | MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK | 立即购买 |
| FQD10N20LTM | ON (安森美) | MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK | 立即购买 |
| FQD10N20LTM | ON (安森美) | MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK | 立即购买 |