类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:QFET™
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:480 毫欧 @ 4.4A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):400V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:8.8A
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:35nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :1400pF @ 25V
功率 - 最大:90W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-3PF-3
包装:管件
供应商设备封装:*
FQAF11N40
概述
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FQAF19N20L | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
FQAF16N50 | ON (安森美) | MOSFET N-CH 500V 11.3A TO-3PF | 立即购买 |
FQAF17P10 | ON (安森美) | MOSFET P-CH 100V 12.4A TO-3PF | 立即购买 |
FQAF12P20 | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | P-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
FQAF19N20L | ON (安森美) | MOSFET N-CH 200V 16A TO-3PF | 立即购买 |