类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：QFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4.25 欧姆 @ 1.8A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：900V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.6A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：26nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：910pF @ 25V
功率 - 最大：130W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 (直引线)
包装：管件
供应商设备封装：*
FQP3N90
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQP3N60C | ON (安森美) | MOSFET N-CH 600V 3A TO-220 | 立即购买 |
| FQP3N50C-F080 | ON (安森美) | MOSFET N-CH 500V 1.8A TO220-3 | 立即购买 |
| FQP3N30 | ON (安森美) | MOSFET N-CH 300V 3.2A TO-220 | 立即购买 |
| FQP3N60 | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| FQP3N90 | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |