FDS2170N7

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：PowerTrench®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：128 毫欧 @ 3A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：36nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1292pF @ 100V
功率 - 最大：1.8W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（3.9mm 宽）裸露焊盘，8-eSOIC. 8-HSOIC
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：*
其它名称：FDS2170N7TRFDS2170N7_NLFDS2170N7_NLTRFDS2170N7_NLTR-ND