晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:3.9A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):1ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:50mW
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:TO-220
针脚数:3
SVHC(高度关注物???):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:TO-220
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:3.9A
电流, Idm 脉冲:11.7A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)