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FSAM10SH60A

概述
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
封装 / 箱体: SPM32-AA
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极击穿电压: 600 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
集电极最大连续电流 Ic: 10 A
功率耗散: 43 W
封装: Tube
安装风格: Through Hole
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型号 制造商 描述 购买
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