类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：QFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：800 毫欧 @ 4.5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：9A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：35nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1030pF @ 25V
功率 - 最大：135W
安装类型：通孔
封装/外壳：I²Pak, TO-262 (3 直引线 + 接片)
包装：管件
供应商设备封装：*
FQI9N50CTU
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQI9N25CTU | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | POWER, N-CHANNEL, MOSFET | 立即购买 |
| FQI9N50CTU | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| FQI9N50CTU | ON (安森美) | MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK | 立即购买 |
| FQI9N50TU | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| FQI9N50TU | ON (安森美) | MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK | 立即购买 |