类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：UniFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：230 毫欧 @ 10A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：20A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：59.5nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：3120pF @ 25V
功率 - 最大：38.5W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 全封装（直引线）
包装：管件
供应商设备封装：*
FDPF20N50T
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDPF2710T | ON (安森美) | MOSFET N-CH 250V 25A TO-220F | 立即购买 |
| FDPF20N50T | ON (安森美) | MOSFET N-CH 500V 20A TO-220F | 立即购买 |
| FDPF20N50FT | ON (安森美) | MOSFET N-CH 500V 20A TO-220F | 立即购买 |
| FDPF20N50 | ON (安森美) | MOSFET N-CH 500V 20A TO-220F | 立即购买 |
| FDPF2D3N10C | ON (安森美) | MOSFET N-CH 100V 222A TO220F | 立即购买 |