类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：PowerTrench®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5.7 毫欧 @ 35A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：94A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：60nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：2525pF @ 15V
功率 - 最大：80W
安装类型：通孔
封装/外壳：IPak, TO-251, DPak, VPak (3 直引线 + 接片)
包装：管件
供应商设备封装：*
FDU8896
概述
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|---|---|---|---|
| FDU8878 | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
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