类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：PowerTrench®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5.5 毫欧 @ 15A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：15A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：55nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：3514pF @ 15V
功率 - 最大：1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（3.9mm 宽）
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：*
FDS7760A
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS7764A | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| FDS7760A | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 立即购买 |
| FDS7764S | ON (安森美) | MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC | 立即购买 |
| FDS7779Z | ON (安森美) | MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC | 立即购买 |
| FDS7779Z | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | P-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |