类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFETs - 阵列
系列：QFET™
FET 型：N 和 P 沟道
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：550 毫欧 @ 650mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：60V, 300V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.3A, 300mA
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.95V @ 20mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：2.1nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：-
功率 - 最大：2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（3.9mm 宽）
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：*
FQS4900TF
概述