类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：QFET™
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：530 毫欧 @ 4A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：8A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：15nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：470pF @ 25V
功率 - 最大：3.75W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：D²Pak，TO-263（2 引线 + 接片）
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：*
FQB8P10TM
概述