锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

EP1S25F780C6N

概述

产品型号

EP1S25F780C6N

描述

集成电路FPGA 597 I/O 780FBGA

分类

集成电路(IC),嵌入式-FPGA(现场可编程门阵列)

制造商

英特尔

系列

Stratix®

打包

托盘

零件状态

过时的

电压-电源

1.425V?1.575V

工作温度

0°C?85°C(TJ)

包装/箱

780-BBGA

供应商设备包装

780-FBGA(29x29)

基本零件号

EP1S25

特性
  • 支持远程配置更新

  • 10,570至79,040 LE

  • 多达7,427,520个RAM位(928,440字节)可用,而不减少逻辑资源

  • TriMatrixTM存储器,由三种RAM块大小组成,以实现真正的双端口存储器和先进先出(FIFO)缓冲区

  • 高速DSP模块提供乘法器(快于300 MHz),乘法累加功能和有限脉冲响应(FIR)滤波器的专用实现

  • 多达16个全局时钟,每个设备区域具有22个时钟资源

  • 每个设备多达12个PLL(四个增强型PLL和八个快速PLL)可提供扩频,可编程带宽,时钟切换,实时PLL 重配置以及高级乘法和相移

  • 支持多种单端和差分I / O标准

  • 在多达116个通道上支持高速差分I / O,其中多达80个通道针对840兆比特(Mbps)进行了优化

  • 支持高速网络和通信总线标准,包括RapidIO,UTOPIA IV,CSIX,HyperTransportTM 技术,10G以太网XSBI,SPI-4 2期(POS-PHY 4级)和SFI-4

  • 对LVDS的差分片上匹配支持

  • 支持高速外部存储器,包括零总线周转(ZBT)SRAM,四数据速率(QDR和QDRII)SRAM,双数据速率(DDR)SDRAM,DDR快速周期RAM(FCRAM)和单数据速率(SDR) )SDRAM

  • 支持66-MHz的PCI(64位和32位)在-6和更快的速度级装置,33-MHz的PCI(64位和32位)的支持在-8和更快的速度级器件

  • 在-5速度等级的设备中支持133 MHz PCI-X 1.0

  • 在-6和更高速度等级的设备中支持100 MHz PCI-X 1.0

  • 在-7速级设备中支持66-MHz PCI-X 1.0

  • 支持AlteraMegaCore®功能和Altera Megafunction合作伙伴计划(AMPP SM)宏功能中的多个知识产权宏功能

参数

可编程逻辑类型

现场可编程门阵列

符合欧盟RoHS

状态

转入

JESD-30代码

S-PBGA-B780

JESD-609代码

1号

总RAM位

1944576

CLB数量

2852.0

输入数量

706.0

逻辑单元数

25660.0

输出数量

706.0

端子数

780

最低工作温度

0℃

最高工作温度

85℃

组织

2852 CLBS

峰值回流温度(℃)

245

电源

1.5,1.5 / 3.3

资格状态

不合格

座高

3.5毫米

子类别

现场可编程门阵列

电源电压标称

1.5伏

最小供电电压

1.425伏

最大电源电压

1.575伏

安装类型

表面贴装

技术

CMOS

温度等级

商业扩展

终端完成

锡/银/铜(Sn / Ag / Cu)

终端表格

端子间距

1.0毫米

终端位置

底部

时间@峰值回流温度最大值(秒)

40

长度

29.0毫米

宽度

29.0毫米

包装主体材料

塑料/环氧树脂

包装代码

BGA

包装等效代码

BGA780,28X28,40

包装形状

广场

包装形式

网格阵列

制造商包装说明

29 X 29 MM,1 MM间距,无铅,FBGA-780