制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET 及电源驱动器 IC
类型: High Side
电源电压（最大值）: 36 V
电源电压（最小值）: 5.5 V
电源电流: 7 mA
最大功率耗散: 74000 mW
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 40 C
封装 / 箱体: PowerSO
封装: Tube
最大关闭延迟时间: 30000 ns (Typ)
最大开启延迟时间: 30000 ns (Typ)
安装风格: SMD/SMT
激励器数量: Dual
输出端数量: Dual
输出电流: 23 A
VND830LSP
概述
在线购买
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VND830PTR-E | ST (意法半导体) | IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 16SO | 立即购买 |
| VND830PTR-E | ST (意法半导体) | IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 16SO | 立即购买 |
| VND830PTR-E | ST (意法半导体) | IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 16SO | 立即购买 |
| VND830ETR-E | ST (意法半导体) | IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 16SO | 立即购买 |
| VND830ETR-E | ST (意法半导体) | IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 16SO | 立即购买 |