制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET 及电源驱动器 IC
类型: High Side
电源电压（最大值）: 36 V
电源电压（最小值）: 5.5 V
电源电流: 6 mA
最大功率耗散: 96100 mW
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 40 C
封装 / 箱体: PowerSO
封装: Reel
最大关闭延迟时间: 30000 ns (Typ)
最大开启延迟时间: 30000 ns (Typ)
激励器数量: Dual
输出端数量: Dual
输出电流: 25 A
VND600SPTR-E
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VND600SPTR-E | ST (意法半导体) | IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10 | 立即购买 |
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| VND600SP-E | ST (意法半导体) | IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10 | 立即购买 |
| VND600SP | ST (意法半导体) | IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10 | 立即购买 |