制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET 及电源驱动器 IC
类型: High Side
电源电压（最大值）: 45 V
电源电压（最小值）: 10.5 V
电源电流: 12 mA
最大功率耗散: 96000 mW
最大工作温度: + 125 C
最小工作温度: - 40 C
封装 / 箱体: PowerSO-36
封装: Tube
激励器数量: Octal
输出端数量: Octal
输出电流: 0.7 A
VN808CM-E
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VN808-32-E | ST (意法半导体) | IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO36 | 立即购买 |
| VN808CMTR-E | ST (意法半导体) | IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO36 | 立即购买 |
| VN808CMTR-E | ST (意法半导体) | IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO36 | 立即购买 |
| VN808CMTR-E | ST (意法半导体) | IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO36 | 立即购买 |
| VN808SR | ST (意法半导体) | IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO36 | 立即购买 |