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VND830TR-E

概述
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET 及电源驱动器 IC
类型: High Side
电源电压(最大值): 36 V
电源电压(最小值): 5.5 V
电源电流: 7 mA
最大功率耗散: 830 mW
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 40 C
封装 / 箱体: SOIC-16
封装: Reel
最大关闭延迟时间: 30000 ns (Typ)
最大开启延迟时间: 30000 ns (Typ)
安装风格: SMD/SMT
激励器数量: Dual
输出端数量: Dual
输出电流: 6 A
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型号 制造商 描述 购买
VND830PTR-E ST (意法半导体) IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 16SO 立即购买
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