UCC21732-Q1

 

UCC21732-Q1是电流隔离的单通道栅极驱动器，设计用于高达2121V DC工作电压的SiC MOSFET和IGBT，具有先进的保护功能，一流的动态性能和耐用性。UCC21732-Q1具有高达±10A的峰值源电流和灌电流。

输入侧与输出侧采用SiO ₂ 电容隔离技术隔离，支持高达1.5kV _RMS的工作电压，12.8kV _PK浪涌抗扰度，且隔离栅寿命超过40年，并且提供了较低的部件间绝缘性能。部分偏斜，> 150V / ns共模噪声抑制（CMTI）。

UCC21732-Q1包括最先进的保护功能，例如快速过流和短路检测，支持并联电流检测，故障报告，有源米勒钳位，输入和输出侧电源UVLO，以优化SiC和IGBT的开关性能以及健壮性。隔离的模拟至PWM传感器可用于更轻松地进行温度或电压感测，从而进一步提高了驱动器的通用性，并简化了系统设计工作，尺寸和成本。

 

1. 5.7kV _RMS单通道隔离式栅极驱动器

2. 符合AEC-Q100的汽车应用要求

3. 最高2121V _pk的 SiC MOSFET和IGBT

4. 最大33V输出驱动电压（VDD-VEE）

5. ±10A驱动强度和分离输出

6. 最低150V / ns CMTI

7. 270ns响应时间快速过流保护

8. 外部主动铣刀夹

9. 故障发生时内部2级关断

10. 带PWM输出的隔离式模拟传感器

• 使用NTC，PTC或热敏二极管进行温度感测

• 高压直流母线或相电压

11. 在电流过大时发出FLT警报并从RST / EN 复位

12. 在RST / EN 上快速启用/禁用响应

13. 抑制输入引脚上的<40ns噪声瞬变和脉冲

14. 12V VDD UVLO，RDY电源正常

15. 具有过冲/欠冲瞬态电压的输入/输出抗扰性高达5 V

16. 130 ns（最大）传播延迟和30 ns（最大）脉冲/部分偏斜

17. SOIC-16 DW封装，爬电距离和电气间隙> 8mm

18. 工作结温–40°C至150°C

 

参数 与其它产品相比 隔离栅极驱动器

  Isolation rating (Vrms) DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) Number of channels (#) Power switch Enable/disable function Output VCC/VDD (Max) (V) Output VCC/VDD (Min) (V) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Peak output current (A) Prop delay (ns) Operating temperature range (C) Package Group   UCC21732-Q1 ISO5451-Q1 ISO5452-Q1 ISO5851-Q1 ISO5852S-Q1 5700     5700     5700     5700     5700     8400     8000     8000     8000     8000     2121     1420     1420     2121     2121     1     1     1     1     1     IGBT, SiCFET     IGBT     IGBT
SiCFET     IGBT     IGBT
SiCFET                              33     30     30     30     30     13     15     15     15     15     3     3     2.25     3     2.25     5.5     5.5     5.5     5.5     5.5     10     5     5     5     5     90     76     76     76     76     -40 to 125     -40 to 125     -40 to 125     -40 to 125     -40 to 125     SOIC | 16     SOIC | 16     SOIC | 16     SOIC | 16     SOIC | 16