类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：150 毫欧 @ 12A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：12A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：23nC @ 20V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：300pF @ 25V
功率 - 最大：53W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 (直引线)
包装：管件
供应商设备封装：*
RFP3055
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFP3077PBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 75V 120A TO-247AC | 立即购买 |
| IRFP3006PBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 60V 257A TO247 | 立即购买 |
| RFP3055LE | ON (安森美) | MOSFET N-CH 60V 11A TO-220AB | 立即购买 |
| RFP30N06LE | ON (安森美) | MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB | 立即购买 |
| RFP30P05 | ON (安森美) | MOSFET P-CH 50V 30A TO-220AB | 立即购买 |