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QEB363

概述
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: 红外发射源
波长: 940 nm
射束角: +/- 24
辐射强度: 8 mW or sr (min)
最大正向电流: 50 mA
最大功率耗散: 100 mW
最大工作温度: + 100 C
最小工作温度: - 40 C
封装 / 箱体: T-3/4
封装: Bulk
安装风格: Through Hole
工作电压: 1.6 V
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QEB363ZR ON (安森美) EMITTER IR 940NM 50MA SMD 立即购买
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IC系列索引
Q2010R5 QTLP601CYTR QBS075YG-A Q8008VH4
Q8P1CXXB12E Q2004V3TP QES066ZE-ANT Q8F1CXXR110E
QTLP670C2TR_Q QTLP670C23TR Q14P1BZZRYG24E Q16P1BXXR24E
Q2004D3RP Q4008LT Q6010LTH QMB-072-00ENN-3BA
Q12P1BXXY24E QTLP652CIGTR QTLP660CBTR Q19P1CZZRYG12E