BR8810MF是SOT23-6塑封封装N沟道双MOS管。有ESD保护功能。
BR88
概述
特性
采用先进的沟槽技术，提供较小的导通电组RDS(on)，低栅极电荷。
V（DSS）=20V / V（GSS）=±12V ID=7A
RDS（ON）=16mΩ(typ.)@VGS=4.5V
RDS（ON）=19mΩ(typ.)@VGS=2.5V
参数
漏源电压（Vdss）：20V
连续漏极电流(Id)（25°C时）：7A
栅源极阈值电压：1V @ 250μA
漏源导通电阻：20mΩ @ 6A，4.5V
最大功率耗散（Ta= 25°C）：1.5W
类型：双N沟道（引脚图与功能共漏）
引导图与功能
