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IPD068P03L3GATMA1、IPD082N10N3GBTMA1、IPD042P03L3GATMA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPD068P03L3GATMA1 IPD082N10N3GBTMA1 IPD042P03L3GATMA1

描述 INFINEON  IPD068P03L3GATMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -70 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -1.5 VDPAK N-CH 100V 80AINFINEON  IPD042P03L3GATMA1  晶体管, MOSFET, AEC-Q101, P沟道, -70 A, -30 V, 0.0035 ohm, -10 V, -1.5 V 新

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 3 - 3

通道数 1 1 -

漏源极电阻 0.005 Ω 7 mΩ 0.0035 Ω

极性 P-Channel N-CH P-Channel

耗散功率 100 W 125 W 150 W

阈值电压 1.5 V 2 V 1.5 V

漏源极电压(Vds) 30 V 100 V 30 V

漏源击穿电压 30 V 100 V -

连续漏极电流(Ids) - 80A -

上升时间 100 ns 42 ns -

输入电容(Ciss) 7720pF @15V(Vds) 3980pF @50V(Vds) 12400pF @15V(Vds)

下降时间 31 ns 8 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 100W (Tc) 125W (Tc) 150W (Tc)

针脚数 3 - 3

长度 6.5 mm 6.5 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 5.97 mm

高度 2.3 mm 2.3 mm 2.41 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17