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IPD042P03L3GATMA1

IPD042P03L3GATMA1

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Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPD042P03L3GATMA1  晶体管, MOSFET, AEC-Q101, P沟道, -70 A, -30 V, 0.0035 ohm, -10 V, -1.5 V 新

OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET

**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。

增强型模式

雪崩等级

低切换和传导功率损耗

无铅引线电镀；符合 RoHS 标准

标准封装

OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C


得捷:
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3


欧时:
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD042P03L3GATMA1, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


艾睿:
OptiMOS P3 Power-Transistor


Verical:
OptiMOS P3 Power-Transistor


Newark:
# INFINEON  IPD042P03L3GATMA1  MOSFET, P-CH, -30V, -70A, TO-252 New


Win Source:
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3


IPD042P03L3GATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0035 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 150 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 12400pF @15VVds

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 5.97 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPD042P03L3GATMA1引脚图与封装图
IPD042P03L3GATMA1引脚图

IPD042P03L3GATMA1引脚图

IPD042P03L3GATMA1封装图

IPD042P03L3GATMA1封装图

IPD042P03L3GATMA1封装焊盘图

IPD042P03L3GATMA1封装焊盘图

在线购买IPD042P03L3GATMA1
型号 制造商 描述 购买
IPD042P03L3GATMA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  IPD042P03L3GATMA1  晶体管, MOSFET, AEC-Q101, P沟道, -70 A, -30 V, 0.0035 ohm, -10 V, -1.5 V 新 搜索库存
替代型号IPD042P03L3GATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IPD042P03L3GATMA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： REEL P-Channel

当前型号

INFINEON  IPD042P03L3GATMA1  晶体管, MOSFET, AEC-Q101, P沟道, -70 A, -30 V, 0.0035 ohm, -10 V, -1.5 V 新

当前型号

型号： IPD042P03L3GBTMA1

品牌： 英飞凌

封装： REEL P-Channel 30V 70A

完全替代

INFINEON  IPD042P03L3GBTMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -70 A, -30 V, 0.0035 ohm, -10 V, -1.5 V

IPD042P03L3GATMA1和IPD042P03L3GBTMA1的区别

型号： IPD042P03L3 G

品牌： 英飞凌

封装： TO-252 P-Channel

类似代替

IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

IPD042P03L3GATMA1和IPD042P03L3 G的区别

型号： IPD068P03L3GATMA1

品牌： 英飞凌

封装： REEL P-Channel

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