TLV2252AQD、TLV2252AQDR、TLV2252AQDRQ1对比区别
型号 TLV2252AQD TLV2252AQDR TLV2252AQDRQ1
描述 高级LinCMOSE轨到轨极低功耗运算放大器 Advanced LinCMOSE RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOS轨到轨极低功耗POERATIONAL放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER POERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOSâ ?? ¢轨到轨极低功耗运算放大器 Advanced LinCMOS⢠RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器放大器、缓冲器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
供电电流 70 µA 70 µA 70 µA
电路数 2 2 2
通道数 2 2 2
耗散功率 725 mW - 725 mW
共模抑制比 70 dB - 70 dB
输入补偿漂移 500 nV/K 500 nV/K 500 nV/K
带宽 187 kHz 187 kHz 187 kHz
转换速率 100 mV/μs 100 mV/μs 120 mV/μs
增益频宽积 200 kHz 200 kHz 200 kHz
输入补偿电压 200 µV 200 µV 200 µV
输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA
工作温度(Max) 125 ℃ - 125 ℃
工作温度(Min) 40 ℃ - -40 ℃
增益带宽 200 kHz - 0.2 MHz
耗散功率(Max) 725 mW - 725 mW
共模抑制比(Min) 70 dB - 70 dB
电源电压(Max) 8 V - 16 V
电源电压(Min) 2.7 V - 2.7 V
长度 4.9 mm - 4.9 mm
宽度 3.91 mm - 3.91 mm
高度 1.58 mm - 1.58 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free