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DCX143TH-7、EMD6T2R对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DCX143TH-7 EMD6T2R

描述 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6Pin SOT-563 T/RNPN PNP复合数字晶体管(偏置电阻内置晶体管) NPN PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 SOT-563 EMT-6

额定电压(DC) - 50.0 V

额定电流 - 100 mA

额定功率 - 0.15 W

通道数 - 2

极性 NPN+PNP NPN+PNP

耗散功率 150 mW 0.15 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 100 @1mA, 5V 100 @1mA, 5V

额定功率(Max) 150 mW 150 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

增益带宽 250 MHz 250 MHz

耗散功率(Max) 150 mW 150 mW

长度 - 1.6 mm

宽度 - 1.2 mm

高度 - 0.45 mm

封装 SOT-563 EMT-6

工作温度 - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99