EMD6T2R
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
EMD6T2R中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
额定功率 0.15 W
通道数 2
极性 NPN+PNP
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 EMT-6
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.45 mm
封装 EMT-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
EMD6T2R引脚图与封装图 
EMD6T2R引脚图
EMD6T2R封装图
EMD6T2R封装焊盘图
在线购买EMD6T2R
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| EMD6T2R | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | NPN PNP复合数字晶体管（偏置电阻内置晶体管） NPN PNP Complex Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistors | 搜索库存 |
替代型号EMD6T2R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： EMD6T2R 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： 50V NPN PNP 50V 100mA 150mW | 当前型号 | NPN PNP复合数字晶体管（偏置电阻内置晶体管） NPN PNP Complex Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistors | 当前型号 |
| 型号： DCX143TH-7 品牌： 美台 封装： SOT-563 NPN+PNP 150mW | 功能相似 | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6Pin SOT-563 T/R | EMD6T2R和DCX143TH-7的区别 |