PDTD113ET,215、PDTD113ZT,215对比区别

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型号 PDTD113ET,215 PDTD113ZT,215

描述 NXP  PDTD113ET,215  晶体管, BRT, NPN, 50V, 500MA, 1KΩNXP  PDTD113ZT,215  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率, SOT-23

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

极性 N-Channel, NPN NPN

耗散功率 0.25 W 0.25 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 500mA 500mA

最小电流放大倍数(hFE) 33 @50mA, 5V 70 @50mA, 5V

额定功率(Max) 250 mW 250 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 250 mW

高度 1 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - -

宽度 - -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC

ECCN代码 - -

香港进出口证 - NLR

工作温度 - -65℃ ~ 150℃