PDTD113ET,215
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NXP
恩智浦
分立器件
PDTD113ET,215中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 0.25 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 500mA
最小电流放大倍数hFE 33 @50mA, 5V
额定功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
PDTD113ET,215引脚图与封装图
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在线购买PDTD113ET,215
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PDTD113ET,215 | NXP 恩智浦 | NXP PDTD113ET,215 晶体管, BRT, NPN, 50V, 500MA, 1KΩ | 搜索库存 |
替代型号PDTD113ET,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PDTD113ET,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-236AB N-Channel | 当前型号 | NXP PDTD113ET,215 晶体管, BRT, NPN, 50V, 500MA, 1KΩ | 当前型号 |
| 型号： PDTD113ZT,215 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23 NPN 250mW | 类似代替 | NXP PDTD113ZT,215 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率, SOT-23 | PDTD113ET,215和PDTD113ZT,215的区别 |