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PBSS5420D、PBSS5420D,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBSS5420D PBSS5420D,115

描述 Small Signal Bipolar TransistorNXP  PBSS5420D,115  单晶体管 双极, PNP, -20 V, 80 MHz, 1.1 W, -4 A, 400 hFE

数据手册 --

制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 6

封装 - SOT-457

频率 - 80 MHz

针脚数 - 6

极性 - PNP

耗散功率 - 1.1 W

击穿电压(集电极-发射极) - 20 V

集电极最大允许电流 - 4A

最小电流放大倍数(hFE) - 200 @2A, 2V

最大电流放大倍数(hFE) - 250 @0.5A, 2V

额定功率(Max) - 1.1 W

直流电流增益(hFE) - 400

工作温度(Max) - 150 ℃

耗散功率(Max) - 2500 mW

额定功率 - -

工作温度(Min) - -

宽度 - 1.7 mm

封装 - SOT-457

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17