PBSS5420D,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PBSS5420D,115中文资料参数规格
技术参数
频率 80 MHz
针脚数 6
极性 PNP
耗散功率 1.1 W
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 200 @2A, 2V
最大电流放大倍数hFE 250 @0.5A, 2V
额定功率Max 1.1 W
直流电流增益hFE 400
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 2500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-457
外形尺寸
宽度 1.7 mm
封装 SOT-457
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PBSS5420D,115引脚图与封装图
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在线购买PBSS5420D,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBSS5420D,115 | NXP 恩智浦 | NXP PBSS5420D,115 单晶体管 双极, PNP, -20 V, 80 MHz, 1.1 W, -4 A, 400 hFE | 搜索库存 |
替代型号PBSS5420D,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PBSS5420D,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-457 PNP 2500mW | 当前型号 | NXP PBSS5420D,115 单晶体管 双极, PNP, -20 V, 80 MHz, 1.1 W, -4 A, 400 hFE | 当前型号 |
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