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MSB92AWT1、MSB92AWT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MSB92AWT1 MSB92AWT1G

描述 PNP硅通用高压晶体管 PNP Silicon General Purpose High Voltage TransistorPNP硅通用高压晶体管 PNP Silicon General Purpose High Voltage Transistor

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SC-70-3 SC-70-3

引脚数 - 3

极性 PNP PNP

耗散功率 150 mW 150 mW

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 120 120 @1mA, 10V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

频率 - 50 MHz

额定电压(DC) - -300 V

额定电流 - -500 mA

额定功率(Max) - 150 mW

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 150 mW

长度 2.1 mm 2.1 mm

宽度 1.24 mm 1.24 mm

高度 0.85 mm 0.85 mm

封装 SC-70-3 SC-70-3

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

材质 - Silicon

工作温度 - 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99