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AUIRF3808、AUIRF3808S、AUIRF3808STRL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRF3808 AUIRF3808S AUIRF3808STRL

描述 INFINEON  AUIRF3808  晶体管, MOSFET, N沟道, 140 A, 75 V, 0.0059 ohm, 10 V, 2 VINFINEON  AUIRF3808S  晶体管, MOSFET, N沟道, 106 A, 75 V, 0.0059 ohm, 10 V, 2 VD2PAK N-CH 75V 106A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-263-3 D2PAK-263

额定功率 330 W 200 W -

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.0059 Ω 0.0059 Ω -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 330 W 200 W -

阈值电压 2 V 2 V -

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

漏源击穿电压 - 75 V -

连续漏极电流(Ids) 140A 106A 106A

上升时间 140 ns 140 ns 140 ns

输入电容(Ciss) 5310pF @25V(Vds) 5310pF @25V(Vds) 5310pF @25V(Vds)

下降时间 120 ns 120 ns 120 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 330 W 200W (Tc) 200000 mW

产品系列 - - AUIRF3808S

长度 10.66 mm 10.67 mm 6.5 mm

宽度 4.82 mm 9.65 mm 6.22 mm

高度 16.51 mm 4.83 mm 2.3 mm

封装 TO-220-3 TO-263-3 D2PAK-263

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -