AUIRF3808S
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Infineon
英飞凌
分立器件
AUIRF3808S中文资料参数规格
技术参数
额定功率 200 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0059 Ω
极性 N-CH
耗散功率 200 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75 V
连续漏极电流Ids 106A
上升时间 140 ns
输入电容Ciss 5310pF @25VVds
下降时间 120 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
AUIRF3808S引脚图与封装图
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在线购买AUIRF3808S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| AUIRF3808S | Infineon 英飞凌 | INFINEON AUIRF3808S 晶体管, MOSFET, N沟道, 106 A, 75 V, 0.0059 ohm, 10 V, 2 V | 搜索库存 |
替代型号AUIRF3808S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： AUIRF3808S 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-263AB N-CH 75V 106A | 当前型号 | INFINEON AUIRF3808S 晶体管, MOSFET, N沟道, 106 A, 75 V, 0.0059 ohm, 10 V, 2 V | 当前型号 |
| 型号： AUIRF3808 品牌： 英飞凌 封装： TO-220AB N-CH 75V 140A | 功能相似 | INFINEON AUIRF3808 晶体管, MOSFET, N沟道, 140 A, 75 V, 0.0059 ohm, 10 V, 2 V | AUIRF3808S和AUIRF3808的区别 |
| 型号： AUIRF3808STRL 品牌： 英飞凌 封装： D2PAK N-CH 75V 106A | 功能相似 | D2PAK N-CH 75V 106A | AUIRF3808S和AUIRF3808STRL的区别 |