6A60、IPA60R199CP对比区别

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型号 6A60 IPA60R199CP

描述 TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose PowerINFINEON  IPA60R199CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16 A, 650 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 --

制造商 Toshiba (东芝) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 3

封装 - TO-220-3

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.18 Ω

极性 - N-Channel

耗散功率 - 34 W

阈值电压 - 3 V

漏源极电压(Vds) - 650 V

连续漏极电流(Ids) - 16.0 A

上升时间 - 5 ns

输入电容(Ciss) - 1520pF @100V(Vds)

下降时间 - 5 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 34 W

长度 - 10.65 mm

宽度 - 4.85 mm

高度 - 16.15 mm

封装 - TO-220-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Not Recommended

包装方式 - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17