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IPA60R199CP

IPA60R199CP

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPA60R199CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16 A, 650 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™CP 功率 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
N沟道 650V 16A


得捷:
MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3


欧时:
Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin TO-220 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin3+Tab TO-220FP


力源芯城:
600V,16A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3


IPA60R199CP中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.18 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 34 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 16.0 A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 1520pF @100VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 34 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPA60R199CP引脚图与封装图
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在线购买IPA60R199CP
型号 制造商 描述 购买
IPA60R199CP Infineon 英飞凌 INFINEON  IPA60R199CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16 A, 650 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号IPA60R199CP
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPA60R199CP

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-220FP N-Channel 600V 16A

当前型号

INFINEON  IPA60R199CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16 A, 650 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号: TK16A60W

品牌: 东芝

封装: SC-67 N-CH 600V 15.8A

功能相似

TO-220SIS N-CH 600V 15.8A

IPA60R199CP和TK16A60W的区别

型号: 6A60

品牌: 东芝

封装:

功能相似

TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power

IPA60R199CP和6A60的区别