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PESD3V3L2UM、PESD3V3L2UM,315对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PESD3V3L2UM PESD3V3L2UM,315

描述 Trans Voltage Suppressor DiodePESDxL2UM 系列 13 V 28 pF 低电容 ESD 保护 二极管 - SOT-883-3

数据手册 --

制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦)

分类 TVS二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

封装 - SOT-883

工作电压 - 3.3 V

电容 - 28 pF

额定功率 - 30 W

击穿电压 - 5.32 V

耗散功率 - 0.25 W

钳位电压 - 13 V

测试电流 - 1 mA

脉冲峰值功率 - 30 W

最小反向击穿电压 - 5.32 V

击穿电压 - 5.32 V

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

电路数 - -

通道数 - -

耗散功率(Max) - -

高度 - 0.47 mm

封装 - SOT-883

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free