PESD3V3L2UM,315
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NXP
恩智浦
分立器件
PESD3V3L2UM,315中文资料参数规格
技术参数
工作电压 3.3 V
电容 28 pF
额定功率 30 W
击穿电压 5.32 V
耗散功率 0.25 W
钳位电压 13 V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 30 W
最小反向击穿电压 5.32 V
击穿电压 5.32 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-883
外形尺寸
高度 0.47 mm
封装 SOT-883
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PESD3V3L2UM,315引脚图与封装图
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在线购买PESD3V3L2UM,315
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PESD3V3L2UM,315 | NXP 恩智浦 | PESDxL2UM 系列 13 V 28 pF 低电容 ESD 保护 二极管 - SOT-883-3 | 搜索库存 |
替代型号PESD3V3L2UM,315
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PESD3V3L2UM,315 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT883 | 当前型号 | PESDxL2UM 系列 13 V 28 pF 低电容 ESD 保护 二极管 - SOT-883-3 | 当前型号 |
| 型号： PESD3V3L2UM 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Trans Voltage Suppressor Diode | PESD3V3L2UM,315和PESD3V3L2UM的区别 |