IPD60R360P7ATMA1、IPD65R380C6ATMA1、FCD9N60NTM对比区别

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型号 IPD60R360P7ATMA1 IPD65R380C6ATMA1 FCD9N60NTM

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 600 V, 0.305 ohm, 10 V, 3.5 VINFINEON  IPD65R380C6ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 VON Semiconductor SupreMOS 系列 Si N沟道 MOSFET FCD9N60NTM, 9 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 中高压MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 - 83 W -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.305 Ω 0.34 Ω 0.33 Ω

极性 - N-Channel -

耗散功率 41 W 83 W 92.6 W

阈值电压 3.5 V 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 600 V

连续漏极电流(Ids) - 10.6A -

上升时间 7 ns 12 ns 9.6 ns

输入电容(Ciss) 555pF @400V(Vds) 710pF @100V(Vds) 735pF @100V(Vds)

下降时间 10 ns 11 ns 11.5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 41W (Tc) 83W (Tc) 92.6 W

输入电容 - - 735 pF

额定功率(Max) - - 92.6 W

长度 - 6.5 mm 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm 6.22 mm

高度 - 2.3 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -